技术引见

　　前发射结反面隧道氧化钝化接触电池技术与常规电池技术不同之处在于反面隧道氧化钝化层及掺杂的多晶硅层这种复合构造的制备，这种办法的关键之处在超薄的隧穿氧化层的制备控制方面及制备前与硅基底间的界面状态的处置。发射结晶体硅太阳能电池的制备办法，包括单步高浓度掺杂扩散，然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料，非电极区域经过化学腐蚀完成轻掺杂的发射结，再除去抗腐蚀阻挠层，最后采用常规太阳能制备办法制得选择性发射结晶体硅太阳能电池，但是该专利申请依然采用的是N型晶体硅电池背部点接触，因而电学性能没有很大的进步。

　　前发射结反面隧道氧化钝化接触高效电池的制造办法，其特征在于，该办法采用以下步骤：

　　(1)应用将硅片在KOH或NaOH碱溶液及H2O2溶液中去除损伤层，接着用四甲基氢氧化铵及异丙醇构成混合溶液对硅片停止制绒，双面构成具有1-4μm的金字塔绒面；

　　(2)在硼源高温扩散炉管中，控制温度为850-1000℃扩散20-40min，然后控制温度为800-900℃通入氧气推结，构成低外表浓度B掺杂P+发射结；

　　(3)应用HF溶液去除硼硅玻璃BSG层，用HNO3和HF的混合溶液停止边绝缘和反面抛光；

　　(4)应用湿法化学的办法在硅片的反面生长一层超薄的隧道氧化层SiO2，接着用PECVD或其他CVD法在其上生长掺P多晶硅层；

　　(5)采取原子层堆积或PECVD技术对硅片构成P+发射结的外表堆积厚度为20-30nm的三氧化二铝层；

　　(6)在硅片正面采用PECVD法或磁控溅射法生长氢化非晶氮化硅钝化减反射层，厚度为75-85nm；

　　(7)采用丝网印刷的办法在硅片的正面印刷Ag/Al浆料，停止烧结，反面采取蒸镀或涂源法构成全铝背场Al-BSF构造，用烘干炉停止烘干，确保电池片的双面都构成良好的接触即可。